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國內外多家大廠砸百億投資 高性能碳化硅供不應求|行業(yè)觀察

2023-06-26 20:38:57 來源:金融界

財聯(lián)社6月22日訊(記者 王碧微)不同于半導體市場“去庫存”的主旋律,多位受訪廠商向財聯(lián)社記者透露,目前高性能碳化硅仍持續(xù)緊缺,并認為未來車用大概率仍會切到碳化硅。

近期,羅姆、安森美、博世、三安光電(600703.SH)等國內外知名廠商紛紛披露碳化硅項目最新進展,其中多起投資金額超百億元人民幣。而在整個碳化硅的投資中,8英寸產品尤其受到熱捧——這或與碳化硅推廣的成本有關。

一位碳化硅廠商向記者透露,8英寸碳化硅的成本,可較6英寸降低63%,且邊緣浪費會減少很多。多位受訪者表示,目前國內的碳化硅產業(yè)發(fā)展迅速,但仍與世界頭部廠商仍存較大差距。


(相關資料圖)

碳化硅熱度不減

“新能源產業(yè),特別是新能源汽車的蓬勃發(fā)展,帶動碳化硅市場走熱。除此以外,參與到能源的生產與分配,包括EV、儲能、UPS、充電樁等領域的碳化硅市場開始供不應求?!奔钭稍兎治鰩燒徣痱湻治龅?。

根據(jù)Yole預測,2021-2027年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望從10.90億美元增長到62.97億美元,保持年均34%的復合增速。其中,車規(guī)級市場是碳化硅最主要的應用場景,有望從2021年的6.85億美元增長至2027年49.86億美元,CAGR為39.2%。

在整個碳化硅的投資中,8英寸是當前重點布局的方向,碳化硅推廣的重點在于降本,而8英寸的產品則可以有效實現(xiàn)這一目標。

“8英寸碳化硅,被認為是碳化硅的黃金賽道,相較6英寸有很多的優(yōu)勢,特別是成本方面。”爍科晶體總經理助理馬康夫表示,8英寸的邊緣損耗更小,尺寸越大晶片的利用面積更大。據(jù)wolfspeed統(tǒng)計,未來通過產量的提升,規(guī)模效益的提升,以及自動化效益的提升,8英寸相對6英寸成本會降低63%。

還有廠商表示,目前硅基器件廠的8寸產品比較成熟,因此他們更愿意接受8英寸碳化硅襯底。

8英寸產品受熱捧 多公司有布局

從去年開始,不斷有8英寸產品發(fā)布消息傳來。據(jù)統(tǒng)計,目前全球已有超過15家廠商展示了各自8英寸碳化硅襯底的樣品,其中wolfspeed處于領先的地位,已在美國有一座8英寸的晶圓廠。

國內廠商們亦有動作,晶升股份(688478.SH)6月14日在投資者互動平臺表示,近日公司已開始8英寸碳化硅長晶設備的批量生產;天科合達2022年成功對外發(fā)布了8英寸襯底,產品已實現(xiàn)了小批量供貨;爍科晶體已實現(xiàn)8英寸SiC單晶研制,攻克了大尺寸籽晶獲得難、晶體生長面臨的應力大及晶體開裂等問題,產品已小批量生產和銷售。

但產品從研發(fā)成功到大規(guī)模量產仍有很長的一段路要走。英飛凌 CEO Jochen Hanebeck 在近期的電話會議上表示,8 英寸比預期要困難得多,其預計英飛凌 2-4 年內才能實現(xiàn) 8 英寸晶圓的大批量生產;全球唯一建成 8 英寸碳化硅晶圓廠的Wolfspeed 也在今年初公開表示,目前正面臨量產的挑戰(zhàn)。

一位產業(yè)鏈專家告訴記者,8英寸的產品尺寸更大,對產品的質量、穩(wěn)定性、價格、面積控制、原材料供應等都有更高要求?!澳壳笆袌鲋黧w在相當長一段時間內還是以6英寸為主?!?/p>

集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示,目前8英寸的產品市占率不到2%,并預測2026年市場份額才會成長到15%左右。

碳化硅產業(yè)鏈出現(xiàn)分化

目前,國內在碳化硅各個環(huán)節(jié)已經涌現(xiàn)一批代表企業(yè)。襯底方面,天岳先進(688234.SH)、天科合達在國內相對領先;外延材料方面,瀚天天成、東莞天域比較突出;下游的功率器件廠商有時代電氣(688187.SH)、斯達半導(603290.SH)、泰科天潤等。

不過,產業(yè)鏈人士認為,國內廠商與國外頭部企業(yè)仍有較大差距。從廠商們的表現(xiàn)來看,國內各個碳化硅生產環(huán)節(jié)已經出現(xiàn)分化。

碳化硅二極管是各大碳化硅廠商供應能力最強的產品,但賽道已十分飽和,僅三安光電一家2022年碳化硅二極管累計出貨量就超一億顆。

襯底方面,上述專家表示國內的襯底有效供應不足,無法滿足上下游產能的需求,但已是國內外差距較小領域。國內頭部襯底廠商天岳先進在2022年年報中表示,產能不足是公司業(yè)績下滑的重要原因。

碳化硅MOSFET方面,產業(yè)鏈人士透露,盡管已有不少國內企業(yè)表示可以量產,但是目前仍處于產業(yè)初期,尚未通過下游驗證。泰科天潤應用測試中心主任高遠表示,國產碳化硅 MOSFET在特性、一致性、可靠性、應用驗證與國際領先水平尚有差距。

此外,國產碳化硅還存在設備供應鏈安全、產品驗證周期長導致的錯過窗口期等問題。

國產化道阻且長,高遠表示,要尊重半導體產業(yè)重資產、研發(fā)要求高、回報周期長的規(guī)律,需要理性地看待它,最終共同助推SiC產業(yè)的大規(guī)模產業(yè)化。

(編輯 曹婧晨)

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