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環(huán)球關(guān)注:中國工程院院士丁榮軍:第三代半導(dǎo)體技術(shù)未來十年復(fù)合增速將超20%

2023-06-30 05:17:36 來源:每日經(jīng)濟(jì)新聞


(資料圖片僅供參考)

每經(jīng)AI快訊,6月29日,在浙江瑞安召開的2023國際新能源智能網(wǎng)聯(lián)汽車創(chuàng)新生態(tài)大會上,中國工程院院士丁榮軍表示,以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)(包括Si-IGBT與SiC二極管相結(jié)合的技術(shù))已經(jīng)開始獲得應(yīng)用,并具有很大的性能及市場潛力,將在未來十年獲得高達(dá)年復(fù)合20%以上的快速增長。(上證報)

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